揚杰科技近日推出了杰冠微自產1200V 120mΩ SiC MOSFET產品，包括TO-247AB、TO-247-4L以及TO-263-7L三種封裝。在追求極致能效與系統緊湊化的電力電子設計中，完美平衡了導通損耗與開關性能，專為替代傳統硅基超結MOSFET而生。

憑借SiC材料的物理特性，該器件擁有極低的寄生電容和極快的開關速度。其體二極管具備極低的反向恢復電荷（Qrr），能顯著降低開關損耗，使電源系統輕松實現高頻化設計，大幅提升功率密度。
支持高達 175°C 的結溫工作環境。相比同等規格的硅器件，它能大幅減少散熱器體積，甚至在部分低功率密度設計中實現無風扇散熱，降低了系統整體成本。