揚(yáng)杰科技近日推出了新一代easy 1B封裝650V IGBT模塊，產(chǎn)品采用的IGBT芯片新一代微溝槽工藝平臺(tái)，具備低損耗、高運(yùn)行結(jié)溫及強(qiáng)短路能力，并且采用DBC絕緣銅底板技術(shù)，絕緣性能好，導(dǎo)熱性強(qiáng)，機(jī)械結(jié)構(gòu)強(qiáng)，具有優(yōu)異的散熱性能。產(chǎn)品參數(shù)一致性好，可靠性優(yōu)良，適用于伺服、變頻器等各類中低頻應(yīng)用領(lǐng)域。

1.低開(kāi)關(guān)損耗；
2.具有正溫度系數(shù)的低VCE(sat) IGBT；
3.包含快速和軟恢復(fù)反并聯(lián)續(xù)流二極管；
4.低電感封裝；
5.具有強(qiáng)短路能力（5us）；
6.使用DBC基板散熱技術(shù)，具有優(yōu)異散熱性能；
7.最高結(jié)溫可達(dá)175℃；