揚杰科技最新推出了一系列用于清潔能源的TOLT封裝功率MOSFET產(chǎn)品，產(chǎn)品采用特殊優(yōu)化的SGT技術(shù)，具有較低的導通電阻Rdson和柵極電荷Qg，明顯降低導通和開關(guān)損耗，同時提升了MOSFET抗沖擊電流能力。

1.采用優(yōu)化的SGT工藝, 產(chǎn)品內(nèi)阻低，開關(guān)特性優(yōu)；
2.采用TOLT頂部散熱封裝，適用于BMS等大功率應用；
3.工作結(jié)溫 Tj(max) = 175℃，出色的散熱性能，優(yōu)異的溫升表現(xiàn)；
4.針對工控應用的各種工作狀態(tài), 優(yōu)化MOS產(chǎn)品EAS能力，提高產(chǎn)品的可靠性。